JASVA特別企画セミナー
『私の発明人生と日本のベンチャーに期待すること』
中村 修二氏 カリフォルニア大学サンタバーバラ校 材料物性工学部 教授
平成18年7月28日(金)10時〜12時、東京都千代田区一ツ橋の
如水会館において、JASVA特別企画セミナーとして、青色LEDの発明 で有名なカリフォルニア大学サンタバーバラ校の中村修二教授の
講演が行われた。
本講演は、中村教授とは大学時代からの友人である、JASVA個人 会員の長沢敏勝氏の仲介により実現したものである。
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カリフォルニア大学サンタバーバラ校
教授 中村修二氏 |
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| ■ 中村氏の略歴 |
| 昭和52年 3月 |
徳島大学工学部電子工学専攻 卒業 |
| 昭和54年 3月 |
徳島大学工学部大学院 修士課程修了 |
| 昭和54年 4月 |
日亜化学工業株式会社入社 |
| 昭和63年 4月 |
フロリダ大学 客員研究員 |
| 平成 6年 9月 |
徳島大学より工学博士を授与 |
| 平成 8年 4月 |
日亜化学工業株式会社 主幹研究員 |
| 平成12年 2月 |
カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部 教授 |
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| ■ 中村氏の業績 |
窒化物系材料を使用した発光デバイスの研究開発に先駆的に取り組み、
1993年に青色、
1995年に緑色のPN接合型高輝度発光ダイオードの製品化に 世界で初めて成功した。
また、1995年に窒化物系紫色半導体レーザのパルス発振に 世界で初めて成功した。
これらの成果として、以下をあげることができる。
| ● |
窒化物系材料成長用新しいMOCVD装置の 実現 |
Appl. Phys. Lett.,1991 |
| ● |
P型正孔補償機構を明らかにし、熱処理によ るP型GaNの 実現 |
Jpn.J. Appl. Phys.,1992 |
| ● |
高品質InGaN結晶膜成長の実現 |
Jpn. J. Appl. Phys.,1992 |
| ● |
ダブルへテロ接合型高輝度青色発光ダイオードの実現 |
Appl. Phys. Lett.,1994 |
| ● |
量子井戸構造型高輝度、青、緑、黄色発光ダイオードの実現 |
Jpn. J. Appl. Phys.,1995 |
| ● |
紫色半導体レーザの実現 |
Jpn. J. Appl. Phys.,1996 |
| ● |
寿命1万時間を持つ紫色半導体レーザの実現 |
Jpn. J. Appl. Phys.,1998 |
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【受賞】
| 平成 6年 |
応用物理学会論文賞 |
| 平成 8年 |
仁科記念賞 「短波長半導体レーザの研究」 |
| 平成 9年 |
大河内記念賞 「V族窒化物半導体を用いた青〜緑色発光ダイオードと 半導体レーザの開発」 |
| 平成10年 |
IEEE Jack A. Morton Award
「For contribution in the field of group-V nitride materials and
devices」 |
| 平成12年 |
本田賞 「高光度青、緑色発光ダイオードと紫色半導体レーザの開発」 |
| 平成13年 |
朝日賞 「青色発光素子の研究と開発」 |
| 平成18年 |
フィンランド政府からミレ二アム技術賞を受賞。 世界で2番目に受賞。 賞金は,1億4000万円。 |
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当日はJASVA始まって以来最も多く集まった聴衆を前にして、「私の発明人生と日本のベンチャー
に期待すること」という演題で、 中村教授は徳島大学工学部を卒業後日亜化学に入社し、そこでの研究開発
に明け暮れる日々の様子、アメリカの研究所に留学して考えたこと、その後退職しアメリカで大学院生を教える
生活を送るようになるまでについて、さまざまなエピソードを交えながら熱弁をふるわれた。
その話ぶりは飾らない表現、率直で鋭い指摘に満ちており、会場はしばしば爆笑につつまれながらも大きな
インパクトを受けた様子であった。
講演内容の骨子は次の通りであるが、その概要はこの秋発行される JASVAマガジンにて紹介する予定である。
中村修二教授講演内容骨子:
・青色半導体を日亜化学で発明するまで、
・発明してからアメリカのUCSB教授になるまで
・アメリカでの研究活動
・日米の技術者/学生の比較
・日米のベンチャーの比較
・日本のベンチャーに期待すること
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