米国 Innovative Silicon Inc. （ISi）が、2005年9月に設立した日本法人です。 ISiは、SOI (Silicon on Insulator)
デバイスのフローティングボディ効果を利用したメモリーを開発し、ライセンスするIPベンダーで、2002年に設立
されました。
Z-RAM（Zero capacitor DRAM）テクノロジーは、キャパシターを用いない高集積度メモリー技術です。 既存の
エンベデッドDRAMの2倍、SRAMの5倍の集積度があり、SOIプロセスを用いて開発されるマイクロプロセッサー
および、ゲーム機、デジタルカメラ、携帯電話向けLSI の劇的なコストダウンやパフォーマンス向上を実現する
メモリーテクノロジーです。
SOI のロジックプロセスで実現することができますので、新たな材料やマスクは必要ありません。スイスのロー
ザンヌに研究開発の拠点があります。
|
