JASVA部会・委員会ーディスプレイ委員会-2007ﾊﾞｯｸﾅﾝﾊﾞｰ

　2007.12.6　　　　　　　　

　「JASVA　IP・設計委員会と高周波アナログ委員会合同セミナー」 　
「高周波・高速ＳｉＰ技術の動向と将来展望」

　横浜ラポール(新横浜）　にて開催　

　　
　　　　　　IP・設計委員会と高周波アナログ委員会の2回目の合同企画によるセミナーが、神奈川県の主催で
　　　平成19年12月6日（木）13時30分～17時、新横浜の「横浜ラポール」にて行われました。　　　
　　　今回は、「高周波・高速SiP技術の動向と将来展望」というテーマのもと次の講演が行われました。　　
　

■テーマ■　　　「高周波・高速ＳｉＰ技術の動向と将来展望」
13：30～13：35	・開会挨拶
13：35～14：15	・講演１　：　「RFID市場動向と技術戦略」　　　　　　　後上　昌夫氏（大日本印刷（株）電子モジュール開発センター　RFID開発部　部長）
14：15～14：55	・講演２　：　「無線センサネットワークの市場技術動向」　　　　　　佐藤　光氏（アーズ（株）代表取締役）
14：55～15：10	休　　憩
15：10～15：50	・講演３　：　「新アーキテクチャＳｉＳ（System in Silicon）技術」間淵義宏氏（（株）システム・ファブリケーション・テクノロジーズ　取締役・技術開発本部長）
15：50～16：30	・講演４　：　「３次元集積を実現するチップ間無線接続技術」　　　黒田忠広氏（慶応義塾大学　理工学部電子工学科　教授）
16：30～16：35	・閉会挨拶
16：45～17：45	交流会　　横浜ラポール内　「キュービック」　にて

講演１．「RFID市場動向と技術戦略」
　　　　　後上昌夫氏　大日本印刷（株）電子モジュール開発センターRFID開発部長
　　
　　「RFIDとは何か、その市場動向と課題（物流用RFID市場ニーズ階層など）、技術動向と課題（RFIDにおける
　　アンテナの機能、高周波に配慮した実装技術など）、大日本印刷（株）における戦略（超小型ICタグ）等について
　　解説」

講演２．「無線センサーネットワークの市場・技術動向」
　　　　　佐藤光氏　アーズ（株）代表取締役

　　　「センサーネットワークの歴史、IEEE802.１５.X（Bluetooth、UWB、ZigBee）、WiFi等の動向、センシングの現状、
　　　無線センサーネットワーク開発の現場での問題点（電波法の問題、すぐには金にならない等）、センサーネット
　　　ワークの未来等について解説。
　　　　　アーズ（株）におけるセンサーネットワーク（One-tenth：MEMS技術による3軸加速度センサ、高性能１BitCPU、
　　　NOR型128Mフラッシュメモリ等を搭載しSiP化により超小型を実現）などを紹介」

講演３．「新アーキテクチャーSiSの紹介」
　　　　　　間淵義宏（株）システム・ファブリケーション・テクノロジーズ取締役・技術開発本部長
　　　
　　　「SiS技術開発の背景としてBusのボトルネック化、SRAM個数増等があると説明。SiS技術は、異なるテクノロジー
　　　のチップをマイクロバンプで接続するもので、SoCの設計手法＋マルチチップの技術である。
　　　　テストチップとマイクロバンプ、SISRAM、テスト技術、システム・イン・シリコンの構造と特徴）、応用例
　　　（システム・イン・シリコンの設計、製造、貫通電極SiIP両面実装）独自のSISRAMと新アーキテクチャーSiSにより
　　　大容量、高速転送をワンパッケージで実現、独自のインターフェイスによりプロトコルの単純化、パワーの最小化
　　　を実現。」

講演４．「3次元集積を実現するチップ間無線接続技術」
　　　　　　　　黒田忠広氏　慶應義塾大学理工学部電子工学科教授
　　　
　　　　「Mooreの法則の限界の議論が2003年頃から始まり、More Moore（微細化の追求，SoC）、More than Moore
　　　（3次元集積を追及，SiPなど）の動きが活発化し、SoCからSiPへの流れが加速。従来のチップ間通信はパワーと
　　　スピードの面で限界にきており、従来のワイヤボンディングによるチップ周辺部のみの利用から面の利用へ、
　　　さらに3次元集積化のためワイヤレス化（Capacitive-CouplingとInductive-Coupling）へと進んでいる。
　　

　　　CapacitiveとInductiveの両方式を比べるとチップバルクによるロス、パッケージのフレキシビリティ、拡張性等
　　　多くの点でInductiveが有利であると説明。
　　　　ついで、慶應大学から学会発表したデータレート最高、消費電力最小、インダクティブ部最小のチップに
　　ついて解説。　
　　　最後にチップ間無線通信技術はSi貫通ビアと同等の性能をより低コストで実現可能、磁界一定のスケーリング
　　　で性能／コストを指数関数的に改善可（More than Moore）、通信距離をｍｍに伸ばせるので用途拡大が
　　　期待されると締めくくった。

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　2007.11.5　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　高周波・アナログ(HA)委員会　　　

　第９回　高周波アナログ半導体技術セミナーのご案内 　

「SiC電力デバイスの現状と将来」

　京都テルサ　第２会議室　にて開催　

　　　
　　　　最近SiC電力デバイスの注目度が急速に高まっています。既に、SiCショットキーダイオードは市販されて
　　　おりますが、課題でしたSiCのMOSFETに関しても、その特性改善も進み、そろそろ実用化の段階に入って
　　　きました。SiCを用いる利点は、電力の省エネ化とシステムの小型化が図れる点です。
　　　
　　　今回は、この「SiC電力デバイスの現状と将来」をテーマに、この分野の最先端でご活躍の方々を講師として
　　　お招きし、下記の要領でセミナーを開催致します。
　　　
　　　SiCの最前線・最新情報をお聞きいただき、皆様の活動に資することができればと思います。
　　　
　　　　　　　ーーーーーーーー　多数の方のご参加をお待ちしております。　－－－－－－－－－－－－－

　　　　□HAB研究会への加入のお申し込みは、http://www.asset-wits.co.jp/moushikomi.htmlをご参照ください。

　　　　　　　　　　□企画：　高周波アナログビジネス(HAB)研究会
　　　　　　　　　　□主催：　（社）日本半導体ベンチャー協会（JASVA）
　　　　　　　　　　□後援：　（独）科学技術振興機構イノベーションプラザ京都、　近畿経済産業局

　　　　　　　　　　　_/_/_/_//_/_/第９回高周波アナログ半導体技術セミナー_/_/_/_/_/_/
　　
　　１．日　時　　平成19年11月 5日（月）　14:30～17:00　
　　
　　２．場　所　　京都テルサ　第２会議室
　　　　　　　　　　　　　◎アクセス：JR京都駅より徒歩10分、市バス「九条車庫」南へすぐです。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　詳細はhttp://www.kyoto-terrsa.or.jp/access.htmlをご参照下さい。
　　
　　３．セミナー内容

■テーマ■　　　「SiC電力デバイスの現状と将来」
14:30～15:10	・基調講演　：　「SiC電力デバイス回路応用」　　　　　　　　　　　　　　　　引原　隆士氏　（国立大学法人　京都大学）
15:10～15:50	・講演　：　「SiCパワーデバイス開発の現状」　　　　　　　　　　　　　　中村　孝氏　（ローム株式会社）
15:50～16:10	休憩
16:10～16:50	・講演　：　「SiC単結晶基板の技術課題～デバイスの高性能化に向けて～」大谷　昇氏（新日本製鐵株式会社）
17:15～18:15	交流会　　(参加費：2,000円)

　　
　　４．セミナー参加費：　講演会 JASVA会員、HAB研会員は無料、その他　5,000円
　　　　　　　　　　　　　　　　（交流会は、別途 2,000円）
　　
　　５．参加申込み：　ここより添付申込用紙をダウンロードし、ご記入の上、h-analog@asset-wits.co.jp'宛
　　　　　　　　　　　　　　　メール添付にてお申込ください。
　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　※お知らせいただいた個人情報は社）日本半導体ベンチャー協会（JASVA）及び　
　　　　　　　　　（独）科学技術振興機構（JST）主催、または共催の催し物のご案内の用途のみに使用いたします。　
　　
　　６．申込締切：　　整理の都合上、10月26日（金）までにお願いします。
　　　　　　　　　　　　

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　2007.7.23　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　高周波・アナログ(HA)委員会　　　

　第８回　高周波アナログ半導体技術セミナーのご案内 　

「高周波シミュレーション技術の現状」

　科学技術振興機構(JST)　イノベーションプラザ京都　　にて開催　

　　　
　　　　高速パルス伝送やUWBなど高速ワイヤレス通信の必要性が出てきていますが、そのデバイス・装置の開発に
　　　際し、不要伝送モードの出現とこれによる空間と周波数を越えた結合の介在により、設計が難しく高度なスキルが
　　　必要とされていました。　

　　　　近年この問題はプロセス・デバイス・回路・システムといった種々のシミュレータの出現により、克服されつつ
　　　あります。
　　　
　　　今回のセミナでは、これらのシミュレータの状況をサーベイし、ＣＡＤ技術の重要性について講演していただく
　　　とともに、　最新のＣＡＤ技術を駆使して理論限界にまでせまるＵＳＢ用自己補対小型アンテナ、超広帯域バンド
　　　パスフィルタの設計試作結果について、　さらに製品を市場に早く送りだすためのＣＡＤシステムとして、企業が
　　　求めるあるべき姿について講演していただきます。
　　　
　　　　　　　ーーーーーーーー　多数の方のご参加をお待ちしております。　－－－－－－－－－－－－－
　　

　　　　□HAB研究会への加入のお申し込みは、http://www.asset-wits.co.jp/moushikomi.htmlをご参照ください。

　　　　　　　　　　□企画：　高周波アナログビジネス(HAB)研究会
　　　　　　　　　　□主催：　（社）日本半導体ベンチャー協会（JASVA）
　　　　　　　　　　□後援：　（独）科学技術振興機構　イノベーションプラザ京都

　　　　　　　　　　　_/_/_/_//_/_/第８回高周波アナログ半導体技術セミナー_/_/_/_/_/_/
　　
　　１．日時　　　平成19年7月23日（月）　15：00～17：20
　　
　　２．場所　　　科学技術振興機構（JST)　イノベーションプラザ京都　セミナールーム
　　　　　　　　　　　　　　◎「イノベーションプラザ京都」は、桂イノベーションパーク内にあり、
　　　　　　　　　　　　　　阪急桂駅西口よりバスにて「桂イノベーションパーク前」下車徒歩1分です。
　　　　　　　　　　　　　　※詳細：http://www.kyoto.jst-plaza.jp/　をご参照下さい。
　　
　　３．セミナー内容

■テーマ■　　　　「高周波シミュレーション技術の現状」
15：00～15：40	・基調講演　：　「超高周波半導体デバイス・回路・実装におけるCADの重要性」　　　　　　　　　　　　　　　　本城　和彦氏　（国立大学法人　電気通信大学）
15：40～16：20	・講演　：　「UWB用無線回路を内蔵した多機能プリント基板モジュールの開発」　　　　　　　　　　　　　　　　斉藤　昭氏　（株式会社ワイケーシー）
(20分）	休憩
16：40～17：20	・講演　：　「企業が求める理想の CAD システムとその現状」伊藤　大輔氏（サイバネットシステム株式会社）
17：30～19：00	交流会　　(参加費：2,000円)

　　
　　４．セミナー参加費：　講演会無料、　交流会 2,000円　
　　
　　５．参加申込み：　添付申込用紙または下欄にご記入の上、h-analog@asset-wits.co.jp'宛にてお申込ください。
　　　　　　　　　　　　　　　必ず「第8回高周波アナログ半導体技術セミナー参加希望」と明記してください。
　　　　　　　　　　　　　　　　確認後登録完了のメールを送信します。
　　　　　

～～～～～第8回　高周波アナログ半導体技術セミナー参加申込書～～～～～～～～～
　　　7月23日の　高周波アナログ半導体技術セミナー　に参加します。
・お名前：　　　　　　　　　　　　　　　　　
・勤務先；　　　　　　　　　　　　　　　　　
・部署・御役職：　　　　　　　　　　　　　　
・勤務先住所：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
・電話番号：　　　　　　　　　　　　　　　　
・メールアドレス：　　　　　　　　　　　　　
・セミナの後の交流会（2000円）に
　　　　参加する。参加しない。　（いずれかを削除してください。）
　～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～　

　　　　　　　　　※お知らせいただいた個人情報は社）日本半導体ベンチャー協会（JASVA）及び　
　　　　　　　　　（独）科学技術振興機構（JST）主催、または共催の催し物のご案内の用途のみに使用いたします。　
　　
　　６．申込締切：　　整理の都合上、7月13日（金）までにお願いします。
　　　　　　　　　　　　

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　2007.4.12　　　　　　　　第７回　高周波・アナログ委員会　　　　JASVA通信　号に掲載

　第7回　高周波アナログ半導体技術セミナーのご案内 　

「ＲＦ　ＭＥＭＳの現状と将来展望」

　科学技術振興機構　研究成果活用プラザ京都　　にて開催　

　　　
　　　　MEMS(Micro-Electro Mechanical System)技術は半導体集積回路技術にMEMS固有のプロセス技術を用いて、
　　　シリコン基板上で機械的動作可能な構造を実現するもので、マイクロセンサ、マイクロアクチュエータ、光スイッチ
　　　やバイオチップ等の新しいデバイスが実用化されています。
　　　
　　　　今回のセミナーのテーマの「RF-MEMS」はMEMS技術を、高周波領域で使用されるRFデバイスに応用したもの
　　　です。　携帯電話や無線LANに代表される無線通信分野におけるブロードバンド化や高周波化の進展に伴い、
　　　従来以上の高周波領域で使用でき、さらなる小型化や低消費電力化を実現できるRFデバイスへのニーズが
　　　高まっており、これに応えるために、低損失、高Qのスイッチ、キャパシタ、インダクタ等の部品や、これらを組み
　　　合わせた回路部品の研究開発が進められています。
　　　　
　　　この分野での最先端の研究開発の動向、RFデバイスの実例、加えて、製品の性能や信頼性に大きな影響を
　　　与えるパッケージング技術について、ご専門の立場より講演いただきます。
　　　
　　　　　　　ーーーーーーーー　多数の方のご参加をお待ちしております。　－－－－－－－－－－－－－
　　

　　　　□HAB研究会への加入のお申し込みは、http://www.asset-wits.co.jp/moushikomi.htmlをご参照ください。

　　　　　　　　　　□企画：　高周波アナログビジネス(HAB)研究会準備会
　　　　　　　　　　□共催：　（独）科学技術振興機構　研究成果活用プラザ京都
　　　　　　　　　　　　　　　　（社）日本半導体ベンチャー協会（JASVA）　（HA委員会）

　　　　　　　　　　　_/_/_/_//_/_/第7回高周波アナログ半導体技術セミナー_/_/_/_/_/_/
　　
　　１．日時　　　平成19年4月12日（木）　15：00～17：20
　　
　　２．場所　　　科学技術振興機構　研究成果活用プラザ京都　セミナールーム
　　　　　　　　　　　　　　◎「研究成果活用プラザ京都」は桂イノベーションパーク内にあり、
　　　　　　　　　　　　　　阪急桂駅西口よりバスにて桂イノベーションパーク前下車徒歩1分です。
　　　　　　　　　　　　　　　http://www.kyoto.jst-plaza.jp/　
　　
　　３．セミナー内容

■テーマ■　　　　「ＲＦ　ＭＥＭＳの現状と将来展望」
15：00～15：40	・講演　：　「RF　MEMSの技術動向とオムロンの取り組み」　　　　　　　　　　　　　　　　佐々木　昌　氏　（オムロン株式会社　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　先端デバイス研究所コア技術グループ　主査）
15：40～16：20	・講演　：　「水晶発振器を代替するシリコン製MEMS発振器の概要」　　　　　　　　　　　　　　　　櫻井　俊二　氏　（サイタイム株式会社　カントリーマネージャー）
(10分）	休憩
16：30～17：20	・講演　：　「MEMS用セラミックパッケージ技術のご紹介」吉田　克亨　氏　（京セラ株式会社　半導体部品開発部　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　技術開発２課　責任者）
17：30～19：00	交流会　　(参加費：2,000円)

　　
　　４．セミナー参加費：　・無料　
　　
　　５．参加申込み：　　下欄にご記入の上、JASVA事務局infojsv@jasva.org宛メールにてお申込ください。
　　　　　　　　　　　　　　　　必ず「第7回高周波アナログ半導体技術セミナー参加希望」と明記してください。
　　　　　　　　　　　　　　　　確認後登録完了のメールを送信します。
　　　　　

～～～～～第7回　高周波アナログ半導体技術セミナー参加申込書～～～～～～～～～
　　　4月12日の　高周波アナログ半導体技術セミナー　に参加します。
・お名前：　　　　　　　　　　　　　　　　　
・勤務先；　　　　　　　　　　　　　　　　　
・部署・御役職：　　　　　　　　　　　　　　
・勤務先住所：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
・電話番号：　　　　　　　　　　　　　　　　
・メールアドレス：　　　　　　　　　　　　　
・セミナの後の交流会（2000円）に
　　　　参加する。参加しない。　（いずれかを削除してください。）
　～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～～　

　　　　　　　　　※お知らせいただいた個人情報は社）日本半導体ベンチャー協会（JASVA）及び　
　　　　　　　　　（独）科学技術振興機構（JST）主催、または共催の催し物のご案内の用途のみに使用いたします。　
　　
　　６．申込締切：　　整理の都合上、4月5日（木）までにお願いします。
　　　　　　　　　　　　　　定員70名、定員に達し次第締め切らせていただきます。
　　　　　　　　　　　　

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	開催日時	題　目　・　講　師	会　場
第７回	４月１２日 15:00～17:20	●JASVA高周波アナログ半導体技術セミナ- 　　　「ＲＦ　ＭＥＭＳの現状と将来展望」　　　　　　　　　　　詳細　　　　　　　佐々木　昌　氏　（オムロン株式会社　　　　　　　　　　　　　　　　　　先端デバイス研究所コア技術グループ　主査）他	研究成果活用プラザ京都
第８回	７月２３日 15:00～17:20	●JASVA高周波アナログ半導体技術セミナ- 　　　「高周波シミュレーション技術の現状」　　　　　　　　詳細　　　　　　　基調講演：本城　和彦氏　（国立大学法人　電気通信大学）　他	ＪＳＴ　イノベーションプラザ京都
第９回	１１月５日 14:30～17:00	●JASVA高周波アナログ半導体技術セミナ- 　　　「SiC電力デバイスの現状と将来」　　　　　　　　　　詳細　　　　　　　基調講演：引原　隆士氏　（国立大学法人　京都大学）　他	京都テルサ
神奈川県主催　委託事業	12月6日 13:30～17:45	●高周波アナログ半導体技術セミナー　　　「高周波・高速ＳｉＰ技術の動向と将来展望」　　　　　詳細　　　　　　慶応義塾大学　黒田忠広教授　他	新横浜/ 横浜ラポール

開催案内